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杨发顺老师“研究生导师信息简表”
  返回威尼斯在线平台主页   发布时间: 2016-09-11 浏览次数: 876
杨发顺  
出生年月 1976.10 导师类别 博导   硕导
毕业院校 威尼斯在线平台 博士
副教授 现任职务
办公电话   电子邮件 fashun@126.com
招生学科方向 学科方向1 微电子学与固体电子学 学科方向2  
主要研究领域与方向
功率半导体器件及功率集成电路、半导体集成技术、新型半导体器件。
2014年以来主要承担的科研项目(注明主持或参与、项目来源、项目名称、项目研究起止时间)

 
1. 国家自然科学基金项目“功率系统的三维集成技术研究”,项目编号:61464002,资助经费48万元,项目起止年月:2015/01 – 2018/12。主持。
2. 贵州省功率元器件可靠性重点实验室开放基金项目“三维集成功率MOS器件研究”,项目编号:KFJJ201504,6.2万元,2015.09-2016.08,主持。
3. 贵州省重大科技专项“单片高压功率模拟集成电路关键技术研究与产业化”,项目编号:黔科合重大专项字[2015]6006,471万元,子课题1经费:43万,2015/10-2018/10,子课题1负责人。

 

2012年以来主要发表学术论著(作者、论文题目、期刊名称、发表时间、期卷页码)

1. 刘雪飞,刘娇,杨发顺*. 一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路设计,微电子学,2013年第43卷第2期
2. 龚红,马奎,傅兴华,丁召,杨发顺*. 一种超结高压肖特基势垒二极管. 半导体技术,2014年第39卷第9期,pp.666-670
3. Kui Ma, Xing-hua Fu, Jie-xing Lin, Fa-shun Yang*. Advanced BCD Technology with Vertical DMOS Based on a Semi-insulation Structure. Journal of Semiconductors, 2016, 37(7): 074004-7
4. 马奎,杨发顺*.一种新型硅基半绝缘结构的研究. 半导体技术,2016年第10期(已录用)
5. Kui Ma, Fa-shun Yang, Jie-xing Lin, Xing-hua Fu. A Semi-insulation Structure for Integrating Vertical DMOS in Smart Power Integrated Circuits. IEEE TENCON 2013. 10, pp.1-3. Xi'an, China, 2013
6. 马奎,杨发顺,林洁馨,傅兴华. 一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺. 微电子学与计算机,2013年第30卷第10期,pp.93-96
7. Kui Ma, Fa-shun Yang, Xing-hua Fu. Schottky Barrier Diode Based on Super-Junction Structure. Journal of University of Electronic Science and Technology of China,2015, 44(1):134-139

 

2012年以来获得发明专利、科研(教学)成果奖及成果推广情况

1. 傅兴华,马奎,杨发顺,王建卫,黄连帅,一种汽车电压调节电路,2012.12.12 -2032.9.17,中国,CN201210342032.0。
2. 傅兴华,马奎,杨发顺,林洁馨,一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法,2013.4.3-2033.1.21,中国,CN201310020817.0。
3. 傅兴华,马奎,杨发顺,林洁馨,一种基于键合技术的三维集成功率半导体及其制作工艺,2013.4.10-2032.12.20,中国,CN201210559200.1。

 

学术兼职及荣誉称号
 
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