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杨吟野老师个人简介
  返回威尼斯在线平台主页   发布时间: 2016-09-09 浏览次数: 1501


  

 

研究方向:半导体材料、微电子学

办公地点:贵州民族大学15号楼1208房间

联系方法:E-mail:34529598@qq.com

 


 

1987年-1991年:哈尔滨工业大学应用物理系,学生。

1991年-1994年:新添精密光学仪器长,施工员。

1994年至今:贵州民族大学,教师。

期间:

2000年-2001年:清华大学膜生物工程国家重点实验室,学生。

2005年-2009年:威尼斯在线平台电子科学系,学生。


 

近十年来主持的科研项目有:

1、贵州省优秀科技教育人才省长专项资金(黔省专合字[2011]74号)。

2、贵阳市科学技术基金(筑科合同[2011205]5-12号。

3、黔科合J字[2011]30号。

4、教育部科学技术研究重点项目(210200)。

5、贵州省科学技术基金(合同号:20072177)。

6、贵州省教育厅重点项目(合同号:2006212)。

近十年来以通讯作者和第一作者在核心期刊上发表论文有:

题目

发表

时间

刊物/出版社名称

本人排名

110)应变对立方相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响

201512

原子与分子物理学报

通讯作者

001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质影响的理论研究

20156

材料科学与工艺

通讯作者

111)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质影响的理论研究

20154

分子科学学报

通讯作者

The effect of (110) strain on the Energy band structure and Optical properties of the simple orthorhombic Ca2P0.25Si0.75 bulkSCI收录)

20154

Journal of Alloys and Compounds

通讯作者

100)应变对立方相Ca2P0.25Si0.75光电学特性的影响

20149

半导体技术

通讯作者

P掺杂正交相Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算(EI收录)

20148

光子学报

通讯作者

(111)应变对立方相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响

20148

激光与光电子学进展

通讯作者

Ca2PxSi1-x能带结构及光学性质的第一性原理计算

20146

固体电子学研究与进展

通讯作者

100)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响

20146

信息记录材料

通讯作者

Selective Growth of Ca2Si Film or Ca5Si3 Film in Ca-Si System by R.F MS by AnnealingSCI收录)

20129

3M-NANO

通讯作者

Ca2Si Crystal Grown Selectively by the Low Temperature AnnealingEI收录)

201110

Applied Mechanics and Materials

通讯作者

Ca2Si crystal grown selectively by R.F.MS

20108

黑龙江大学自然科学学报

第一作者

Selective Growth of Ca2Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness

200910

材料科学与工程学报

第一作者

Study of Directly Grown Ca2 Si Films on Si( 100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power

200910

测试技术学报

第一作者

A Single Phase Semiconducting Ca-silicide Film Growth by Sputtering Conditions, Annealing Temperature and Annealing TimeSCI收录)

2009

Journal of Materials Science

第一作者

The Selective Growth of a Single Phase Calcium Silicide Film in the Ca–Si system by R.F. Magnetron SputteringEI收录)

20088

ASID2008

第一作者

Growth Characteristics of Calcium Silicides Films from the Deposited Ca Films at the Different Sputtering Ar PressureEI收录)

200812

ISCSCT2008

第一作者

授权专利:

7、一种硅化钙制备加热系统的数字开环式温度补偿装置(实用新型专利号:ZL201220516282.7 ),第一申请人。

8、一种硅化钙制备加热系统的模拟闭环式温度补偿装置 (实用新型专利号:ZL201220516320.9 ),第一申请人。

9、一种对称单变换型射频功率放大器 (实用新型专利号:ZL 201220458867.8 ),第二申请人。

10、 一种集成对称型射频功率放大器 (实用新型专利 号:ZL 201220458870.X ),第二申请人。

获奖和荣誉:贵州民族大学2015年度优秀硕士生导师

 
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